行行查:2023年中国IGBT行业研究报告
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3.0 智报告 2023-06-20 49 1 3.7MB 43 页 12数查币
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名词解释1/2
IGBTIGBTInsulated Gate Bipolar Transistor即绝缘栅双极型晶体管其通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通;反之,加
反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT是由BJT双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体
器件,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点,适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如
交流电机变频器开关电源照明电路牵引传动等领域
功率器件:功率器件是指已经封装好的MOSFETIGBT等产品芯片制作完成后,需要封装才可以使用,封装外壳可以给芯片提供支撑保护散热以及电气连接和隔
离等作用以便使器件与其他电容电阻等无源器件和有源器件构成完整的电路系统
IGCTIGCTIntegrated Gate-Commutated Thyristor是指集成门极换流晶闸管,是20世纪90年代后期出现的新型电力电子器件IGCTIGBTGTO的优点结合
起来,其容量与GTO相当但开关速度比GTO10倍,而且可以省去GTO应用是庞大而复杂的缓冲电路,只不过其所需的驱动功率仍然很大。目前,IGCT正在
IGBT以及其他新型器件激烈竞争试图最终取代GTO在大功率场合的位置
FRED芯片:FRED芯片是一种反向恢复时间短的二极管主要应用于开关电源变频器、电机驱动等电力电子电路中,是组成IGBT功率模块的重要器件,具有反向恢复
快、正向压降低反向击穿电压高的特点FRD芯片的特性主要有超快恢复时间大电流能力高抗浪涌电流能力和低正向压降
IGBT单管:IGBT单管是将单个IGBT芯片和FRD芯片采用1个分立式晶体管的形式封装在铜框架上IGBT单管采用稳定可靠的平面栅和沟槽栅工艺具有优良的反向与短
路安全工作区IGBT单管集合了MOSFET开关速度快输入阻抗高控制功率小驱动电路简单通态电流大、损耗小的特点。
IGBT模块:IGBT模块是指将多个IGBT芯片与FRD芯片通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品IGBT模块具有节能安装维修方便散热稳定等特点IGBT
模块下游应用领域较广目前主要应用在智能电网工业控制变频器电焊机新能源汽车光伏及风力发电逆变器、变频家电等多个领域。
摘要:

———新能源汽车和光伏产业加速需求放量2023年中国IGBT行业研究报告概览标签:IGBT、功率器件、MOSFET、IPM模块、FRD芯片、IDM模式、Fabless模式、Foundry模式、SiC、逆变器、车规级IGBT、光伏逆变器、栅极、环氧树脂、引线键合、沟槽栅工艺、斯达半导、新洁能©2023HangHangCha来源:行行查研究中心整理www.hanghangcha.com行行查简介©2023HangHangCha来源:行行查研究中心整理www.hanghangcha.com名词解释(1/2)IGBT:IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)即绝缘栅双...

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作者:智报告 分类:专题研究 价格:12数查币 属性:43 页 大小:3.7MB 格式:pdf 时间:2023-06-20

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